个人简介

关云鹤，女，副教授，1993年8月出生，中共党员，工学博士，电子科学与技术、集成电路工程专业硕士生导师。2014年获得西安交通大学微电子学学士学位，2019年获得西安交通大学电子科学与技术专业博士学位。2020年至今在bat365在线唯一官网登录bat365在线登录入口工作，从事相关教学科研工作。先后在IEEE Transaction on Electron Devices，IEEE Electron Device Letters与Chinese Physics B与SISPAD等期刊与会议上发表论文20余篇。主持国家自然科学基金1项，陕西省自然科学基金1项，参与国家自然科学基金等多项。

研究方向

后摩尔时代超低功耗微纳电子器件的性能、涨落与模型研究

生物传感器的性能研究

教学方向

承担《半导体功率器件》《集成电路设计导论》课程

科研项目

1、关云鹤，2021.1-2022.12，氮化镓/氧化镓宽禁带异质结TFET物理机理和解析模型研究，陕西省科技厅项目

2、关云鹤，2022.1-2024.12，工艺涨落影响下的异质结隧穿场效应晶体管紧凑模型研究，国家自然科学基金项目

发表论文

1、Yunhe Guan, Vihar P. Georgiev, Asen Asenov, Feng Liang and Haifeng Chen, Impact of the Figures of Merit (FoMs) Definitions on the Variability in Nanowire TFET: NEGF Simulation Study，IEEE Transactions on Electron Devices, 2022.11.

2.Yunhe Guan, Hamilton Carrillo-Nuñez, Vihar P Georgiev, Asen Asenov,

Feng Liang, Zunchao Li, Haifeng Chen, Quantum simulation investigation of work-function variation in nanowire tunnel FETs, Nanotechnology. 2021.01.

3、Yunhe Guan, Haifeng Chen, Siwei Huang, and Feng Liang, Investigation Influence of Channel Transport on Output Characteristics in Sub-100nm Heterojunction Tunnel FET, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2021.09.

4、Yunhe Guan, Zunchao Li, Hamilton Carrillo-Nuñez, Yefei Zhang, Vihar P. Georgiev,Asen Asenov, Feng Liang, An Accurate Analytical Model for Tunnel FET Output Characteristics, IEEE Electron Device Letters. 2019.06.

5、Yunhe Guan, Zunchao Li, Wenhao Zhang, Yefei Zhang, Feng Liang, A Full-Range Analytical Current Model for Heterojunction TFET With Dual Material Gate, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018.11

电子邮箱 gyhflc@xupt.edu.cn